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英诺赛科自2015年起专注于氮化镓（GaN）芯片的研发与产业化，致力于以创新技术重塑行业。总部位于中国苏州，公司通过垂直整合的IDM模式，实现了从衬底到器件的全链条技术突破，加速了氮化镓的应用。

IDM模式集设计、制造、封测于一体，使英诺赛科能够掌控氮化镓芯片全产业链，快速响应市场需求，保持技术领先。公司掌握全球领先的8英寸硅基氮化镓量产技术，产品具备高频、高效、高可靠性等优势，性能较传统硅基器件大幅提升，功耗显著降低。

通过持续创新，英诺赛科突破了大尺寸晶圆良率瓶颈，降低了氮化镓芯片成本，加速了其在消费电子、新能源、汽车电子等领域的普及。从智能手机快充到新能源汽车逆变器，氮化镓技术正在各个领域展现优势。在新能源车市场，氮化镓功率?？橹?00V高压平台实现快速充电。在光伏储能领域，器件助力系统效率突破新高。

凭借卓越技术和产品，英诺赛科赢得了全球客户的认可，累计出货数亿颗芯片，客户覆盖全球头部企业。公司正与全球合作伙伴携手，推动氮化镓技术创新与应用，构建更高效、节能、智能的未来。