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国产DRAM内存芯片和三星的技术差距大约是5年。
具体来说，三星和SK海力士计划在年底前投产第五代10nm级（1b或者说12nm）内存芯片，而国产DRAM代表企业合肥长鑫今年的打算是第二代10nm（1y或者说16/17nm）。
一般而言，DRAM每一代的演进时间是2年到2年半。按照正常节奏，国产内存芯片有机会进一步缩短与三星的技术差距。然而，目前一个比较棘手的问题是，三星和SK海力士已经引入了EUV（极紫外光刻）设备用于生产更先进的DRAM芯片，而国产企业暂时还无法获取这一设备。
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