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ISG6108QA 是英诺赛科推出的一款高度集成的 700V SolidGaN 功率芯片。该芯片将 700V 增强型 GaN FET、高压线性稳压器、智能栅极驱动器和无损耗电流传感电路集成在一个紧凑的 QFN 6mm x 8mm 封装中，厚度仅为 0.85mm。 

ISG6108QA 具有 230mΩ 的常闭型 GaN，连续耐压 700V，瞬态耐压高达 800V。 其宽 VCC 范围为 9V 至 80V，无需额外的 LDO。 芯片具备 115μA 的低静态电流，并支持自动待机模式。 集成的无损耗电流传感电路省去了外部采样电阻，提高了系统效率。 智能栅极驱动器提供两段式栅极驱动方案，并支持可编程的开启回转速率控制，以实现高频、高效率和低 EMI 性能。 

ISG6108QA 具有高达 200V/ns 的高 dv/dt 抗扰度，零反向恢复电荷，最高开关频率可达 2MHz。 芯片传播延迟典型值为 25ns。 此外，它还集成了用于数字隔离器的 5V LDO，以及 UVLO、OCP、OTP 等多种保护功能。

ISG6108QA 的应用范围广泛，包括 AC-DC、DC-DC、DC-AC 电源，PFC、QR 反激、ACF、半桥、全桥电路，以及 PD 适配器、LED 照明、太阳能微型逆变器、服务器和电信电源等。 高集成度和优化的设计使得 ISG6108QA 能够简化 BOM、减小 PCB 尺寸，同时提高系统效率和功率密度。

ISG6108QA_Datasheet_Rev_1.0.pdf