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智能功率??樾酒械闹饕⑷仍荌GBT,功率芯片,驱动1C及其外围电阻,电容等元器件对散热要求不高。支撑结构主要有以下几种方案:采用覆铜陶瓷基板作为支撑,将IGBT,FRD功率芯片与驱动1C及其外围电阻,电容等元器件焊接在覆铜陶瓷基板上,然后用环氧树脂塑料塑封,其中将没有元件焊接的一面露在外面,使用覆铜陶瓷基板(DBC)可提高产品的可靠性以及散热能力,但IPM产品成本相对较高;
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