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AO3406 万代MOSFET 是一种高性能的 N 沟道场效应管，它采用了先进的沟槽技术，提供了优异的导通电阻和低栅极电荷。这种器件适用于作为负载开关或在脉宽调制应用中使用。

AO3406 万代MOSFET 的主要特点有：

- 漏源电压为 30V

- 在 VGS = 10V 时，漏电流为 3.6A

- 在 VGS = 10V 时，导通电阻小于 50mù

- 在 VGS = 4.5V 时，导通电阻小于 70mù

- 封装为 SOT-23-3

AO3406 万代MOSFET 的典型应用有：

- 便携式设备的电源管理

- DC/DC 转换器

- 负载开关

- 马达驱动

AO3406 万代MOSFET 的详细参数和数据手册或者订购该产品，请随时与我们联系。